単結晶シリコンマイクロ構造の引張疲労破壊特性を短い時間で測定する方法として，集積したひずみゲージを用いた並列引張試験方法を開発しています．
ひずみゲージの集積化によって測定系を高剛性化することで100 Hz以上の高い繰返し負荷周波数を実現し，測定の並列化によって1サンプルあたりに必要な測定時間の短縮を目指します．ひずみゲージは単結晶シリコンのピエゾ抵抗効果を用いたもので，チップ上に集積したブリッジ回路からは高いS/N比を持つ出力が得られます．
【応用先】
- 単結晶シリコン破壊強度のデータベース化
- 高信頼性なMEMSデバイスの設計指標
[論文]
- 上杉 晃生，平井 義和，土屋 智由，田畑 修，“ひずみゲージ集積型単結晶シリコンマイクロ構造の並列引張疲労試験”，日本機械学会2015年度年次大会，2015年9月．
- A. Uesugi, Y. Hirai, T. Tsuchiya, O. Tabarta, “Parallel Tensile-Mode Fatigue Testing of Silicon Microstructures with Integrated Piezoresistive Stain Sensors”, 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2015), November 2015.