1月30日に大阪工業大学うめきたナレッジセンターで開催される標記ワークショップで土屋准教授がJournal of Micro Electro Mechanical Systemsに掲載されたMEMS光チョッパを用いた時間分解顕微ラマン分光計測の論文についての講演を行います．無料ですので奮ってご参加ください．
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会議名: 第16回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」
主 催: IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter
日 時: 2016年1月30日(月) 10:00～15:15
会 場: 大阪工業大学 うめきたナレッジセンター
場 所: 〒530-0011 大阪市北区大深町3-1
グランフロント大阪 ナレッジキャピタルタワー C9階
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プログラム：
Session I. Sensor, Solar Cell, and Emerging Devices [10:05-11:45]
10:05 Temperature and Illuminance Detections by Hybrid-type Carrier-
generation Sensors using n-type and p-type Poly-Si TFTs [AMFPD]
K. Kito, H. Hayashi, S. Kitajima, T. Matsuda, M. Kimura
Ryukoku Univ.
10:30 Terahertz Emission from Individual Subcells in a Triple Junction
Solar Cell Excited by a Wavelength Tunable Pulsed Laser [SSDM]
S. Hamauchi1, Y. Sakai1, T. Umegaki1, A. Ito2, H. Nakanishi2, I. Kawayama1,
H. Murakami1, M. Tonouchi1
1Osaka Univ., 2SCREEN Holdings Co., Ltd.
10:55 Time-Resolved Micro-Raman Stress Spectroscopy for Single-Crystal Silicon
Resonators Using a MEMS Optical Chopper [IEEE J. MEMS]
T. Tsuchiya1, Y. Kogita1, A. Taniyama1, Y. Hirai1, K. Sugano2, O. Tabata1
1Kyoto Univ., 2Kobe Univ.
11:20 Evolution of Hydrogen-related Defect States in Amorphous In-Ga-Zn-O
Analyzed by Photoelectron Emission Yield Experiments [AMFPD]
K. Hayashi, A. Hino, H. Tao, M. Ochi, H. Goto, T. Kugimiya
Kobe Steel, Ltd.
― 昼食 [11:45 – 13:00] ―
Session II. Power and Compund Semiconductor Devices [13:00 – 14:15]
13:00 Current-collapse-free Oprerations up to 850 V by GaN-GIT utilizing Hole
Injection from Drain [ISPSD]
S. Kaneko, M. Kuroda, M. Yanagihara, A. Ikoshi, H. Okita, T. Morita, K. Tanaka,
M. Hikita, Y. Uemoto, S. Takahashi, T. Ueda
Panasonic Corp.
13:25 Impact Ionization Coefficients in 4H-SiC Toward Ultrahigh-Voltage Power
Devices [IEEE T-ED]
H. Niwa, J. Suda, T. Kimoto
Kyoto Univ.
13:50 Embedded Source Field-Plate for Reduced Parasitic Capacitance of AlN/GaN
MIS-HEMTs on Si Substrate [SSDM]
K. Chikamatsu, M. Akutsu, T. Tanaka, S. Takado, K. Sakamoto, N. Ito,K. Nakahara
ROHM Co., Ltd.
― 休憩 [14:15 – 14:30] ―
Session III. CMOS Process, Device, and Circuit [14:30-14:55]
14:25 Negative Bias Temperature Instability Caused by Plasma Induced Damage in
65 nm Bulk and Silicon On Thin BOX (SOTB) Processes [IRPS]
R. Kishida, A. Oshima, K. Kobayashi
Kyoto Inst. Tech.