単分子トランジスタなどのナノデバイスの実現に向け、数nmの間隔を持つ対向電極（ナノギャップ電極）を効率的に作製する手法が求められている。本研究では金ナノロッドと呼ばれる棒状のナノ粒子を絶縁膜基板上で成長させることで、ナノギャップを有するナノスケール電極を作製する手法を提案する。この手法では２本の金ナノロッドを平面上で成長・衝突させ、衝突点に界面活性剤の層を挟み込むことで均一なナノギャップを作製することが出来る。また化学的に構造を作製することで、大量生産も可能である。
単分子トランジスタなどのナノデバイスの実現に向け、数nmの間隔を持つ対向電極（ナノギャップ電極）を効率的に作製する手法が求められている。本研究では金ナノロッドと呼ばれる棒状のナノ粒子を絶縁膜基板上で成長させることで、ナノギャップを有するナノスケール電極を作製する手法を提案する。この手法では２本の金ナノロッドを平面上で成長・衝突させ、衝突点に界面活性剤の層を挟み込むことで均一なナノギャップを作製することが出来る。また化学的に構造を作製することで、大量生産も可能である。