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半導体微細加工技術を用いて作製した単結晶シリコンMEMSデバイスの梁構造に(111)面でへき開破壊を用いて数μm角の均一でかつ原子レベルで平滑なナノギャップ構造を作製する技術を確立,電気伝導特性を測定 ...